明佳達電子｜M13S128168A-5TG2｜Elite Semiconductor Memory Technology｜メモリーICs

基本情報(ニュ-＆オリジナル)

型番：　　　　M13S128168A-5TG2

メーカ：　　　Elite Semiconductor Memory Technology

パッケージ：　TSSOP16

コード：　　　14+

鉛フリー / RoHS対応：はい

フィーチャー

1.Double-data-rate architecture, two data transfers per clock cycle
2.Bi-directional data strobe (DQS)
3.Differential clock inputs (CLK and CLK )
4.DLL aligns DQ and DQS transition with CLK transition
5.Four bank operation
6.CAS Latency : 2.5, 3, 4
7.Burst Type : Sequential and Interleave
8.Burst Length : 2, 4, 8
9.All inputs except data & DM are sampled at the rising edge of the system clock (CLK)
10.Data I/O transitions on both edges of data strobe (DQS)
11.DQS is edge-aligned with data for READs; center-aligned with data for WRITEs
12.Data mask (DM) for write masking only
13.VDD = 2.5V ± 0.2V, VDDQ = 2.5V ± 0.2V
14.15.6us refresh interval
15.Auto & Self refresh
16.2.5V I/O (SSTL_2 compatible)
 

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